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碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)綜述及展望

盛況; 董澤政; 吳新科 浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院; 浙江省杭州市310027

摘要：碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢(shì)性能則給封裝技術(shù)帶來(lái)了新的挑戰(zhàn):傳統(tǒng)封裝雜散電感參數(shù)較大,難以匹配器件的快速開關(guān)特性;器件高溫工作時(shí),封裝可靠性降低;以及模塊的多功能集成封裝與高功率密度需求等。針對(duì)上述挑戰(zhàn),論文分析傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)中雜散電感參數(shù)大的根本原因,并對(duì)國(guó)內(nèi)外的現(xiàn)有低寄生電感封裝方式進(jìn)行分類對(duì)比;羅列比較現(xiàn)有提高封裝高溫可靠性的材料和制作工藝,如芯片連接材料與技術(shù);最后,討論現(xiàn)有多功能集成封裝方法,介紹多種先進(jìn)散熱方法。在前面綜述的基礎(chǔ)上,結(jié)合電力電子的發(fā)展趨勢(shì),對(duì)SiC器件封裝技術(shù)進(jìn)行歸納和展望。

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