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半導(dǎo)體器件輻射效應(yīng)數(shù)值模擬技術(shù)研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢

陳偉; 丁李利; 郭曉強 西北核技術(shù)研究所; 西安710024; 強脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國家重點實驗室; 西安710024

摘要：半導(dǎo)體器件輻射效應(yīng)數(shù)值模擬技術(shù)主要研究輻射與材料相互作用的粒子輸運模擬、器件內(nèi)部輻射感生載流子漂移擴散的器件級模擬及器件性能退化對電路功能影響的電路級模擬等,是抗輻射加固設(shè)計和抗輻射性能評估中的關(guān)鍵技術(shù)。隨著先進微電子技術(shù)的快速發(fā)展,新材料、新結(jié)構(gòu)和新器件的應(yīng)用為輻射效應(yīng)建模與數(shù)值仿真帶來了新挑戰(zhàn)。輻射效應(yīng)數(shù)值模擬涉及材料學(xué)、電子學(xué)和核科學(xué)的交叉領(lǐng)域,技術(shù)難度大,建模和仿真比較復(fù)雜,一些瓶頸問題尚未完全解決。圍繞粒子輸運模擬、器件級輻射效應(yīng)數(shù)值模擬和電路級輻射效應(yīng)數(shù)值模擬3個方面,梳理急需解決的關(guān)鍵技術(shù)問題,介紹半導(dǎo)體器件輻射效應(yīng)數(shù)值模擬技術(shù)的發(fā)展趨勢。

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