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加急見刊

短溝道MOSFET源漏寄生電阻的二維半解析模型

常紅; 王亞洲; 柯導明 中國電子科技集團公司第五十八研究所; 江蘇無錫214000; 安徽大學電子信息工程學院; 合肥230601

摘要：根據金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的工作原理,在MOSFET的源/漏區域引入了矩形等效源,提出了源/漏電阻的二維定解問題。通過用分離變量法、傅里葉展開和積分方程相結合建立MOSFET源/漏電阻的二維半解析模型,得到了源/漏電阻與幾何尺寸之間的關系。該模型避免了數值分析時的方程的離散化,且具有較高的精度。計算和仿真結果表明,模型計算出的源/漏電阻阻值接近于Silvaco的仿真值。

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