場板結構對AlGaN/GaN HEMT溫度場的影響
摘要：用Silvaco的ATLAS軟件仿真研究了場板結構對AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）的溫度場分布的影響,分析了場板結構影響器件溫度場分布的可能因素。模擬結果表明,加入場板結構后,器件溝道二維電子氣濃度減小,電場分布發生變化,器件柵極漏側邊緣處的溝道峰值溫度降低。加入柵場板和源場板結構后,場板邊緣處都有一個新的溫度峰值出現,器件的溝道溫度峰值在加入單層和雙層柵場板及源場板后由511K分別下降到487、468和484K,這種降低作用會隨著柵場板層數的增加而有所增強。仿真結果說明場板結構通過改變AlGaN/GaN HEMT器件溝道載流子濃度和電場分布,影響器件內部的溫度場分布。優化器件的場板結構是提高AlGaN/GaN HEMT的可靠性有效途徑之一。
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