0.3～2.0 GHz 100 W GaN超寬帶功率放大器
摘要：基于南京電子器件研究所0.25μm GaN HEMT工藝平臺,設計了一款0.3~2.0GHz 100 W GaN超寬帶功率放大器。GaN HEMT器件的射頻參數由負載牽引系統測定,包括最大功率匹配阻抗和最大效率匹配阻抗。放大器用同軸巴倫結構實現超寬帶匹配,用高介電常數介質板材制作匹配電路,實現放大器的小型化。放大器偏置電壓28V,偏置電流0.5A。測試結果顯示,在0.3~2GHz帶寬內,放大器小信號增益平坦度小于±1.3dB。典型輸出功率大于100 W,最小輸出功率90 W,飽和功率增益大于9dB,功率平坦度小于±1.2dB,漏極效率大于50%。
注: 保護知識產權,如需閱讀全文請聯系固體電子學研究與進展雜志社
相關推薦
更多
