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利用同軸電子全息對納米線中電荷分布的原位定量表征

劉詩凱; 施特; 陳瓊陽; 翟阿敏; 田鶴; 丁澤軍; 李吉學; 張澤 浙江大學電子顯微鏡中心、硅材料國家重點實驗室、材料科學與工程學院; 浙江杭州310027

摘要:納米線及納米管材料常被用于透射電鏡中進行原位偏壓下的電學測試,例如,對其場發射性能與電學擊穿性質的測量,電場下電荷非均勻分布的信息可以使得我們對單根納米線的性質做出更加定量的監控與判斷。本文作者使用了同軸電子全息的方法,可以簡單快捷地僅從單張離焦像中計算出沿納米線的電荷分布。通過結合此方法與原位偏壓技術,可以對在電場作用下碳化硅納米線中的電荷分布進行成像,從無偏壓時的均勻分布到受到電場調制后呈現出增大的梯度均可以被定量算出,且對電荷的靈敏度可優于1 e/nm。本方法可以應用于原位條件下進行快捷高效的動態電荷表征。

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