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金剛石基GaN HEMT技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)

趙金霞 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所; 石家莊050051

摘要：采用金剛石襯底可顯著提升GaN微波功率器件的散熱能力,從而制作尺寸更小、功率更高的金剛石基GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)器件。介紹了金剛石基GaN HEMT技術(shù)優(yōu)勢(shì)。綜述了金剛石基GaN HEMT的金剛石襯底生長(zhǎng)、金剛石與GaN HEMT層結(jié)合、金剛石/GaN界面優(yōu)化等制造技術(shù)的研發(fā)現(xiàn)狀,并概述了金剛石基GaN微波功率器件的最新研究進(jìn)展。最后分析了金剛石基GaN HEMT制造技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)和未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),表明制作低成本大尺寸金剛石襯底材料、提升GaN/金剛石界面熱阻以及大幅提升金剛石基GaN器件的性能并在射頻功率器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)商用將是未來(lái)發(fā)展的重點(diǎn)。

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