新型研磨墊對單晶氧化鎵研磨的實驗研究
摘要：為抑制氧化鎵晶片在研磨過程中的解理現象,通過NAKAMURA的方法,重新設計、研制一種黏彈性固著磨料新型研磨墊對氧化鎵晶片進行研磨實驗研究,對比分析其與傳統鑄鐵研磨盤對單晶氧化鎵研磨的材料去除率和表面質量的影響規律,結果表明:在同一研磨參數下,采用鑄鐵盤研磨時,晶片材料去除率較高,為358nm/min,研磨后晶片表面粗糙度Ra由初始的269nm降低到117nm,降幅僅為56.5%;而采用新型研磨墊研磨時,其材料去除率雖較低,為263nm/min,但研磨后晶片表面粗糙度Ra卻降低至58nm,降幅達到78.4%,晶片表面質量得到明顯提高,為后續氧化鎵晶片的拋光奠定了良好的基礎,因而新型研磨墊更適合對氧化鎵進行研磨。同時,也為氧化鎵晶片研磨提供了參考依據。
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