男人摸女人的胸视频,91精品国产91久久久久久最新,黄色视频性爱免费看,黄瓜视频在线观看,国产小视频国产精品,成人福利国产一区二区,国产高清精品自拍91亚洲,国产91一区二区

加急見刊

一種新型的常通型GaN HEMT器件

徐宏慶; 修強; 董耀文; 秦海鴻 正德職業技術學院電子與信息技術系; 南京211106; 南京航空航天大學自動化學院; 南京211106

摘要：對新型常通型GaN HEMT器件的特性和參數進行了研究。闡述了其靜態和動態特性以及電流崩塌問題。針對其動態特性,與相近定額的Si MOSFET器件(TK2Q60D)在開通、關斷時間與柵源電壓的關系方面進行了對比,探討了常通型GaN HEMT器件在不同輸入電壓和不同開關頻率下的電流崩塌現象,并采用升壓(Boost)電路,對常通型GaN HEMT器件和Si MOSFET器件的最高工作頻率能力進行了對比。實驗結果表明,常通型GaN HEMT器件具有更高的工作頻率,且工作頻率的升高不影響電流崩塌現象。

注: 保護知識產權,如需閱讀全文請聯系電子器件雜志社