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基于GLOBALFOUNDRIES 0.18μm BCDliteTM工藝的微型CMOS五電極垂直型霍爾器件的研究

湯偉; 呂飛; 張勝; 潘紅兵; 王敦輝 南京大學(xué)物理學(xué)院; 南京210093; 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院; 南京210023

摘要：為了解決五電極垂直型霍爾器件(5CVHD)電流靈敏度較低以及器件流片迭代周期較長(zhǎng)、成本較高的問題,基于GLOBALFOUNDRIES0.18μmBCDliteTM工藝在有限元分析軟件COMSOL中進(jìn)行器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和仿真,研究器件結(jié)構(gòu)和工藝參數(shù)對(duì)5CVHD性能的影響,并且選取代表性參數(shù)進(jìn)行流片與測(cè)試。通過仿真和流片實(shí)測(cè)發(fā)現(xiàn),減小電極長(zhǎng)度(w)和探測(cè)電極與中間偏置電極距離(d2),增加器件長(zhǎng)度(l)以及添加一層P型覆蓋層有助于提高5CVHD的性能,當(dāng)有源區(qū)深度為7μm時(shí),2.5μm厚度的P型覆蓋層能夠改善5CVHD的性能。

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