摘要：報(bào)道了液氮溫度下對(duì)HgCdTe器件進(jìn)行電容測(cè)試的方法。標(biāo)定了儀器寄生電容以及杜瓦寄生電容,并利用該測(cè)試結(jié)果計(jì)算得到PN結(jié)區(qū)附近的載流子濃度和相應(yīng)的深度等數(shù)據(jù)。對(duì)比了碲鎘汞常規(guī)PN結(jié)器件與雪崩光電二極管(APD)器件的耗盡層寬度以及N區(qū)載流子濃度。
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