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異質(zhì)外延碲鎘汞薄膜的位錯抑制技術(shù)

覃鋼; 李東升; 夏宗澤; 邸卓; 陳衛(wèi)業(yè); 楊晉; 楊春章; 李艷輝 昆明物理研究所; 云南昆明650223; 國網(wǎng)遼陽供電公司; 遼寧遼陽111000

摘要：本文簡述了MBE異質(zhì)外延碲鎘汞薄膜位錯形成機(jī)理、位錯在外延層中的演化過程以及位錯抑制理論,總結(jié)了國內(nèi)外CdTe緩沖層的位錯抑制技術(shù)、HgCdTe薄膜的位錯抑制技術(shù),分析了熱循環(huán)退火技術(shù)各個要素與位錯密度變化之間的關(guān)系。

注: 保護(hù)知識產(chǎn)權(quán),如需閱讀全文請聯(lián)系紅外技術(shù)雜志社