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高輸出功率太赫茲量子級聯激光器與溫度特性

林宗澤; 王科; 王利; 平山秀樹 日本國立研究開発法人理化學研究所光量子工程研究領域太赫茲量子器件研究室; 仙臺980-0845; 日本

摘要：半導體太赫茲量子級聯激光器（THz QCL）是一種相干性好線寬窄的太赫茲輻射源，有潛力獲得高的輸出功率.采用基于非平衡格林函數（NEGF）方法的計算工具設計、生長、制備了基于砷化鎵系材料的THz QCL.在10 K溫度下，峰值功率達到270 mW，平均功率為2.4 mW，單位面積的輸出功率與已報道的最高值相當.采用NEGF方法對器件的溫度變化特性做了詳細的分析.

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