MgAl2O4絕緣性的第一性原理研究
摘要:基于密度泛函理論的第一性原理研究了存在本征空位和間隙缺陷的MgAl_2O_4體系。缺陷形成能的結果表明,O_(i4)和V_O分別在富氧(O-rich)和缺氧(O-poor)條件下的形成能最低,兩者均在體系中引入深能級,無法增強MgAl_2O_4的導電性。電子結構的結果表明,O_(i4)在價帶頂和導帶底均引入能級,V_O在禁帶中引入深能級,分別存在這兩種本征缺陷的MgAl_2O_4依然保持良好的絕緣性。
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