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四極-十六極分區(qū)式線型阱中汞離子囚禁仿真研究

王朝全; 涂建輝; 崔敬忠 蘭州空間技術(shù)物理研究所; 真空技術(shù)與物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 空間量子頻標(biāo)技術(shù)核心專業(yè)實(shí)驗(yàn)室; 蘭州730000

摘要:利用SIMION軟件建立了四極-十六極分區(qū)式線型離子阱系統(tǒng)模型,在此基礎(chǔ)上仿真模擬了汞離子在四極阱和十六極阱中被囚禁時(shí)的第一穩(wěn)定區(qū),并分析了離子在不同阱中的運(yùn)動(dòng)特性。研究了汞離子云在分區(qū)式阱中的囚禁體積和速度分布,以及在不同囚禁區(qū)域之間的穿梭過程。模擬得出了穩(wěn)態(tài)情況下分區(qū)式阱中不同囚禁區(qū)域的粒子數(shù)密度分布,驗(yàn)證了分區(qū)式離子阱中離子云被連續(xù)囚禁、穿梭時(shí)粒子數(shù)衰減和補(bǔ)償。同時(shí),根據(jù)以上數(shù)據(jù)分析討論了汞離子囚禁時(shí)的多普勒效應(yīng),估算了基于此分區(qū)式離子阱的汞離子微波鐘的性能水平。

注: 保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán),如需閱讀全文請聯(lián)系宇航計(jì)測技術(shù)雜志社

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