高性能折疊Ⅰ型柵無結場效應晶體管
摘要：為順應集成電路設計對器件提出更高性能要求的趨勢,提出一種高性能折疊Ⅰ型柵無結場效應晶體管, 主要研究此類產品在不同柵極長度下的電學特性, 討論柵極的幾何形狀改變對器件性能產生的影響.通過與普通的雙柵、 三柵無結場效應晶體管的仿真結果的對比, 突出 FIG JL FET在電學性能上所具備的優勢, 并給出柵極設計參數的最佳優化方案.仿真實驗結果表明, 相比于其他的柵型結構, 折疊Ⅰ型柵無結場效應晶體管具有更低的反向泄漏電流,Ion-Ioff 比也得到很大提升, 而且幾乎沒有亞閾值的衰減.作為一款高性能器件, 深具發展潛力.
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